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熱絲化學氣相沉積(HFCVD)金剛石涂層制備設備廠家《地震資訊》


發(fā)布時間:

2023-12-19

金剛石作為超寬帶隙半導體材料,具有高載流子遷移率、高熱導率、高擊穿電場、高載流子飽和速率和低介電常數(shù)等優(yōu)異物理特性,被認為是制備下一代高功率、高頻、高溫及低功率損耗電子器件的“終極半導體”。

  金剛石作為超寬帶隙半導體材料,具有高載流子遷移率、高熱導率、高擊穿電場、高載流子飽和速率和低介電常數(shù)等優(yōu)異物理特性,被認為是制備下一代高功率、高頻、高溫及低功率損耗電子器件的“終極半導體”。

熱絲CVD金剛石制備設備

  我國金剛石半導體產(chǎn)業(yè)與先進國家相比存在:1、關鍵設備依賴進口,無自主知識產(chǎn)權,易遭到國外封鎖;2、缺乏大尺寸金剛石襯底制備和薄膜外延生長工藝;3、金剛石研磨、鍵合、減薄技術不成熟等差距。本項目集合高校頂級科研團隊和工業(yè)界優(yōu)秀工程師團隊,打通產(chǎn)業(yè)化所需的高質量金剛石薄膜生長、熱絲CVD金剛石設備定制、晶圓拋磨鍵合減薄等研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)節(jié),從工具級、熱學級產(chǎn)品切入,并將持續(xù)推動光學級、電子級甚至量子級產(chǎn)品研發(fā)。

  熱絲CVD(HFCVD)優(yōu)勢:可以生長大尺寸的微米晶納米晶CVD金剛石晶圓片。

  微波CVD(MPCVD)、電弧法(DCCVD)、高壓法只能生長出最大尺寸4英寸(多晶金剛石),2英寸(單晶金剛石);最大問題是做不了大尺寸(例如產(chǎn)業(yè)界需要6英寸和8英寸的金剛石晶圓片),這極大的阻礙了CVD金剛石的市場推廣和應用。

  HFCVD技術是最早用于研究CVD金剛石的技術,但在今天仍然是最重要的金剛石膜制備技術之一。無論在研究領域,還是在商業(yè)領域都發(fā)揮著不可替代的作用。盡管目前主要的應用還集中在工具,包括薄膜涂層工具和厚膜工具和涂層領域,但在電子、電化學、化工等許多高新技術領域均已得到實際應用,已顯示非常廣闊的應用前景。所以研發(fā)一款熱絲化學氣相沉積金剛石膜制備是非常有意義的事情。

  鵬城半導體技術(深圳)有限公司是半導體薄膜解決方案提供商及生產(chǎn)設備制造商,自主可控,自主研發(fā)了半導體外延片散熱所使用的也就是熱沉片,已經(jīng)首次做到六英寸的金剛石晶圓片,解決了卡脖子及填補了中國空白。
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全球MBE市場穩(wěn)步增長,中國鵬城半導體突破技術壟斷

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