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化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù) -臺風(fēng)資訊

發(fā)布時間：

2023-12-21

CVD(化學(xué)氣相沉積)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。

　　CVD(化學(xué)氣相沉積)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
　　從理論上來說，它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。
　　化學(xué)氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù)，其原理是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)，使得氣態(tài)前驅(qū)體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜。化學(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)沉積、激光輔助化學(xué)沉積、金屬有機化合物沉積等。不過隨著技術(shù)的發(fā)展，CVD技術(shù)也不斷推陳出新，出現(xiàn)了很多針對某幾種用途的專門技術(shù)，在此特為大家介紹兩種CVD技術(shù)。
　　等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）
　　等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）是在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化，同時基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng)，還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的共同作用下形成的。激發(fā)輝光放電的方法主要有：射頻激發(fā)，直流高壓激發(fā)，脈沖激發(fā)和微波激發(fā)。

PECVD設(shè)備（等離子體增強化學(xué)氣相沉積）-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司

　　等離子體增強化學(xué)氣相沉積的主要優(yōu)點是沉積溫度低，對基體的結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)影響?。荒さ暮穸燃俺煞志鶆蛐院?；膜組織致密、針孔少；膜層的附著力強；應(yīng)用范圍廣，可制備各種金屬膜、無機膜和有機膜。

薄膜沉積效果圖

薄膜沉積效果圖

　　熱絲化學(xué)氣相沉積
　　熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相沉積，碳氫化合物在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成膜先驅(qū)物，當(dāng)樣品溫度合適時，這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。
　　CVD化學(xué)氣相沉積的基本特征為：
　　產(chǎn)生化學(xué)變化（化學(xué)反應(yīng)或熱分解）；
　　膜中所有材料都來源于外部的源；
　　反應(yīng)物必須以氣相形式參與反應(yīng)。
　　熱絲CVD的基本化學(xué)反應(yīng)為加熱分解化合物（化學(xué)鍵斷裂），及光分解（利用輻射能使化合物化學(xué)鍵斷裂）。燈絲（鎢絲或鉭絲）通電后加熱到2000攝氏度，氣體（氫氣，甲烷）傳輸至燈絲處，分解形成碳氫活性集團，黏附擴散至樣片附近，當(dāng)樣品溫度在600-1000攝氏度時，碳氫活性集團發(fā)生反應(yīng)形成晶核，晶核形成島狀物，島狀物形成連續(xù)膜層，反應(yīng)副產(chǎn)物脫離樣片表面，流出生長室。

熱絲CVD金剛石設(shè)備-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司

　　鵬城半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)計制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備（熱絲法化學(xué)氣相沉積CVD），分為實驗型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。
　　設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)?？捎糜诹W(xué)級別、熱學(xué)級別、光學(xué)級別、聲學(xué)級別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。
　　可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。

　　可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層；環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。
　　可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。
　　可用于太陽能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。

　　工件尺寸：
　　圓形平面工作的尺寸：最大φ600mm。
　　矩形工作尺寸的寬度1000mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定（如：工件長度1500mm）。
　　配置水冷樣品臺。
　　可單面鍍膜也可雙面鍍膜。

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新聞中心

展會邀請丨鵬城半導(dǎo)體誠邀您蒞臨2025中國材料大會！

“中國材料大會2025”將于2025年7月5-8日在福建省廈門國際會展中心舉行，大會預(yù)計規(guī)模30000人，擬設(shè)115個國內(nèi)(際)分會，涵蓋能源材料、環(huán)境材料、先進結(jié)構(gòu)材料、功能材料、材料設(shè)計制備與評價等5大類主題；同時開設(shè)一批特色論壇，包括青年論壇、特色新材料論壇、材料教育論壇、材料期刊論壇等，除此之外，還同期舉行國際新材料科研儀器與設(shè)備展覽會等。

鵬城半導(dǎo)體亮相聚焦“卡脖子”和“前沿必爭”領(lǐng)域-2025中國材料大會

“中國材料大會2025”：作為新材料領(lǐng)域國家級學(xué)術(shù)品牌大會，面向國家重大需求，匯聚最權(quán)威的專家學(xué)者和國家級戰(zhàn)略科技力量，聚焦“卡脖子”領(lǐng)域和“前沿必爭”領(lǐng)域的關(guān)鍵突破，推動高端學(xué)術(shù)研討，解決行業(yè)發(fā)展中重大共性問題和新興產(chǎn)業(yè)推進中重大難題，搶占全球新材料發(fā)展的學(xué)術(shù)制高點，形成體系化國家級戰(zhàn)略布局，為推動我國新質(zhì)生產(chǎn)力建設(shè)打造堅實的物質(zhì)基礎(chǔ)與保障。

全球MBE市場穩(wěn)步增長，中國鵬城半導(dǎo)體突破技術(shù)壟斷

2021年，全球分子束外延（MBE）系統(tǒng)市場規(guī)模約為5.5億元人民幣，展望至2028年，這一數(shù)字預(yù)計將攀升至9.6億元，意味著在2022至2028年間，該市場將以8.3%的年復(fù)合增長率持續(xù)壯大。分子束外延系統(tǒng)在半導(dǎo)體及基礎(chǔ)材料研究領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用，其消費主力軍包括歐洲、美國、日本以及中國等工業(yè)體系完備的國家，它們共同占據(jù)了全球超過八成的市場份額。

轉(zhuǎn)發(fā) 科創(chuàng)要聞 | 豐富形式促服務(wù) 精準服務(wù)助創(chuàng)新

2025年5月15日是全省第十九個“政務(wù)公開日”，圍繞“深化政務(wù)公開、助力決戰(zhàn)決勝”的活動主題，沈陽市科技創(chuàng)新服務(wù)中心以政務(wù)公開為契機，結(jié)合沈陽市科技創(chuàng)新政策宣傳與助企服務(wù)需求，開展了專題調(diào)研走訪活動。此次調(diào)研的為鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司，旨在宣傳沈陽市科技創(chuàng)新平臺建設(shè)成效、科技條件平臺資源共享及創(chuàng)新券政策落實成果，推動沈陽市科技中介服務(wù)聯(lián)盟協(xié)同發(fā)展，進一步優(yōu)化營商環(huán)境，助力企業(yè)創(chuàng)新突破。

薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積設(shè)備分類薄膜沉積是指在硅片等襯底上沉積待處理的薄膜材料，所沉積薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬，沉積膜可為無定形、多晶的或者單晶。