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鵬城半導(dǎo)體攜PVD真空鍍膜設(shè)備亮相昆明ICEO2024

發(fā)布時(shí)間：

2024-03-25

2024 年4 月12-14 日在昆明花之城豪生國(guó)際酒店舉辦第一屆新能源與光電技術(shù)國(guó)際會(huì)議(ICEO2024)，本次國(guó)際會(huì)議是新能源與光電領(lǐng)域科研工作者的一次專業(yè)盛會(huì)，將全面地展示科研工作者們?cè)阝}鈦礦太陽(yáng)能電池、有機(jī)太陽(yáng)能電池、薄膜電池、燃料電池、鋰/鈉電池、發(fā)光二極管、發(fā)光電化學(xué)電池、光電探測(cè)器、激光器、傳感器、薄膜晶體管等研究領(lǐng)域所取得的最新進(jìn)展及成果，深入探討相關(guān)研究領(lǐng)域所面臨的機(jī)遇、挑戰(zhàn)及未來(lái)的發(fā)展方向。屆時(shí)，鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱：鵬城半導(dǎo)體）也受主辦方邀請(qǐng)亮相本屆會(huì)議。

　　2024 年4 月12-14 日在昆明花之城豪生國(guó)際酒店舉辦第一屆新能源與光電技術(shù)國(guó)際會(huì)議(ICEO2024)，本次國(guó)際會(huì)議是新能源與光電領(lǐng)域科研工作者的一次專業(yè)盛會(huì)，將全面地展示科研工作者們?cè)阝}鈦礦太陽(yáng)能電池、有機(jī)太陽(yáng)能電池、薄膜電池、燃料電池、鋰/鈉電池、發(fā)光二極管、發(fā)光電化學(xué)電池、光電探測(cè)器、激光器、傳感器、薄膜晶體管等研究領(lǐng)域所取得的最新進(jìn)展及成果，深入探討相關(guān)研究領(lǐng)域所面臨的機(jī)遇、挑戰(zhàn)及未來(lái)的發(fā)展方向。屆時(shí)，鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱：鵬城半導(dǎo)體）也受主辦方邀請(qǐng)亮相本屆會(huì)議。

　　HFCVD熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備
　　設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)?？捎糜诹W(xué)級(jí)別、熱學(xué)級(jí)別、光學(xué)級(jí)別、聲學(xué)級(jí)別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。
　　可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
　　可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層；環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。
　　可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。
　　可用于太陽(yáng)能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。

　　高真空磁控濺射儀（PVD真空鍍膜設(shè)備）
　　是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

 

　　分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備MBE（分子束外延MBE）
　　分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備MBE，該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝，實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造。

　　分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備在薄膜外延生長(zhǎng)時(shí)具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長(zhǎng)，它可以排除在薄膜生長(zhǎng)時(shí)的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

　　我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備，分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，技術(shù)先進(jìn)，性能可靠，用途多，實(shí)用性強(qiáng)，價(jià)格相對(duì)較低，可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。
　　PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD設(shè)備）
　　PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng)；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

　　聯(lián)系我們
　　公司全稱：鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司
　　網(wǎng)址：852xy.com
　　電話：+86-13632750017
　　郵箱：sales@hitsemi.com
　　微信公眾號(hào)：鵬城半導(dǎo)體

 

新聞中心

展會(huì)邀請(qǐng)丨鵬城半導(dǎo)體誠(chéng)邀您蒞臨2025中國(guó)材料大會(huì)！

“中國(guó)材料大會(huì)2025”將于2025年7月5-8日在福建省廈門國(guó)際會(huì)展中心舉行，大會(huì)預(yù)計(jì)規(guī)模30000人，擬設(shè)115個(gè)國(guó)內(nèi)(際)分會(huì)，涵蓋能源材料、環(huán)境材料、先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料、功能材料、材料設(shè)計(jì)制備與評(píng)價(jià)等5大類主題；同時(shí)開(kāi)設(shè)一批特色論壇，包括青年論壇、特色新材料論壇、材料教育論壇、材料期刊論壇等，除此之外，還同期舉行國(guó)際新材料科研儀器與設(shè)備展覽會(huì)等。

鵬城半導(dǎo)體亮相聚焦“卡脖子”和“前沿必爭(zhēng)”領(lǐng)域-2025中國(guó)材料大會(huì)

“中國(guó)材料大會(huì)2025”：作為新材料領(lǐng)域國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)品牌大會(huì)，面向國(guó)家重大需求，匯聚最權(quán)威的專家學(xué)者和國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略科技力量，聚焦“卡脖子”領(lǐng)域和“前沿必爭(zhēng)”領(lǐng)域的關(guān)鍵突破，推動(dòng)高端學(xué)術(shù)研討，解決行業(yè)發(fā)展中重大共性問(wèn)題和新興產(chǎn)業(yè)推進(jìn)中重大難題，搶占全球新材料發(fā)展的學(xué)術(shù)制高點(diǎn)，形成體系化國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略布局，為推動(dòng)我國(guó)新質(zhì)生產(chǎn)力建設(shè)打造堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)與保障。

全球MBE市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)，中國(guó)鵬城半導(dǎo)體突破技術(shù)壟斷

2021年，全球分子束外延（MBE）系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模約為5.5億元人民幣，展望至2028年，這一數(shù)字預(yù)計(jì)將攀升至9.6億元，意味著在2022至2028年間，該市場(chǎng)將以8.3%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)壯大。分子束外延系統(tǒng)在半導(dǎo)體及基礎(chǔ)材料研究領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用，其消費(fèi)主力軍包括歐洲、美國(guó)、日本以及中國(guó)等工業(yè)體系完備的國(guó)家，它們共同占據(jù)了全球超過(guò)八成的市場(chǎng)份額。

轉(zhuǎn)發(fā) 科創(chuàng)要聞 | 豐富形式促服務(wù) 精準(zhǔn)服務(wù)助創(chuàng)新

2025年5月15日是全省第十九個(gè)“政務(wù)公開(kāi)日”，圍繞“深化政務(wù)公開(kāi)、助力決戰(zhàn)決勝”的活動(dòng)主題，沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新服務(wù)中心以政務(wù)公開(kāi)為契機(jī)，結(jié)合沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新政策宣傳與助企服務(wù)需求，開(kāi)展了專題調(diào)研走訪活動(dòng)。此次調(diào)研的為鵬城微納技術(shù)（沈陽(yáng)）有限公司，旨在宣傳沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)成效、科技條件平臺(tái)資源共享及創(chuàng)新券政策落實(shí)成果，推動(dòng)沈陽(yáng)市科技中介服務(wù)聯(lián)盟協(xié)同發(fā)展，進(jìn)一步優(yōu)化營(yíng)商環(huán)境，助力企業(yè)創(chuàng)新突破。

薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積設(shè)備分類薄膜沉積是指在硅片等襯底上沉積待處理的薄膜材料，所沉積薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬，沉積膜可為無(wú)定形、多晶的或者單晶。