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薄膜沉積工藝和設備

發(fā)布時間：

2024-04-17

薄膜沉積是在基材上沉積一層納米級的薄膜，再配合蝕刻和拋光等工藝的反復進行，就做出了很多堆疊起來的導電或絕緣層，而且每一層都具有設計好的線路圖案。這樣半導體元件和線路就被集成為具有復雜結構的芯片了。

　　薄膜沉積是在基材上沉積一層納米級的薄膜，再配合蝕刻和拋光等工藝的反復進行，就做出了很多堆疊起來的導電或絕緣層，而且每一層都具有設計好的線路圖案。這樣半導體元件和線路就被集成為具有復雜結構的芯片了。
　　薄膜沉積主要分為三大類別：
　　? 化學氣相沉積 CVD （Chemical Vapor Deposition)
　　? 物理氣相沉積 PVD (Phicial Vapor Deposition)
　　? 原子層氣相沉積 ALD (Atomic Layers Deposition)

　　化學氣相沉積CVD通過熱分解和/或氣體化合物的反應在襯底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜層材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金屬化合物、合金等。
　　化學氣相沉積CVD 設備
　　? PECVD 等離子體增加化學氣相沉積
　　PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。

PECVD-國產(chǎn)產(chǎn)品領先雙頻技術突破

　　?HFCVD熱絲化學氣相沉積設備
　　研發(fā)設計制造了熱絲CVD金剛石設備，分為實驗型設備和生產(chǎn)型設備兩類。
　　設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)。
　　可用于力學級別、熱學級別、光學級別、聲學級別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。
　　可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
　　可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質涂層；環(huán)保領域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。
　　可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質涂層制備。
　　可用于太陽能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。

金剛石薄膜生產(chǎn)線

熱絲CVD金剛石設備

　　? LPCVD低壓化學氣相沉積設備
　　是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。

科研型LPCVD

生產(chǎn)型LPCVD

　　? MOCVD金屬有機物化學氣相沉積
　　可用于GaN、ZnO等的外延生長。
　　物理氣相沉積PVD工藝
　　在真空條件下，采用物理方法，將材料源（固體或液體） 表面材料氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。
　　物理氣相沉積不僅可沉積金屬膜、合金膜， 還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。
　　物理氣相沉積也有多種工藝方法：
　　? 真空蒸鍍 Thin Film Vacuum Coating
　　? 濺射鍍膜 PVD-Sputtering
　　? 離子鍍膜 Ion-Coating
　　物理氣相沉積PVD設備
　　物理氣相沉積設備包括真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。
　　真空濺射鍍膜機
　　是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

　　電子束蒸鍍機
　　是在高真空條件下，采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法，在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍各種高熔點材料。

　　高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機
　　采用電阻熱蒸發(fā)技術，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜?？捎糜谏a(chǎn)和科學實驗，可根據(jù)用戶要求專門訂制；可用于材料的物理和化學研究；可用于制備金屬導電電極；可用于有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。

　　分子束外延設備MBE
　　可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。
　　分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
　　我公司設計制造的分子束外延薄膜生長實驗設備，分實驗型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結構簡單，操作方便，技術先進，性能可靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。

 

新聞中心

鵬城半導體亮相聚焦“卡脖子”和“前沿必爭”領域-2025中國材料大會

“中國材料大會2025”：作為新材料領域國家級學術品牌大會，面向國家重大需求，匯聚最權威的專家學者和國家級戰(zhàn)略科技力量，聚焦“卡脖子”領域和“前沿必爭”領域的關鍵突破，推動高端學術研討，解決行業(yè)發(fā)展中重大共性問題和新興產(chǎn)業(yè)推進中重大難題，搶占全球新材料發(fā)展的學術制高點，形成體系化國家級戰(zhàn)略布局，為推動我國新質生產(chǎn)力建設打造堅實的物質基礎與保障。

全球MBE市場穩(wěn)步增長，中國鵬城半導體突破技術壟斷

2021年，全球分子束外延（MBE）系統(tǒng)市場規(guī)模約為5.5億元人民幣，展望至2028年，這一數(shù)字預計將攀升至9.6億元，意味著在2022至2028年間，該市場將以8.3%的年復合增長率持續(xù)壯大。分子束外延系統(tǒng)在半導體及基礎材料研究領域發(fā)揮著關鍵作用，其消費主力軍包括歐洲、美國、日本以及中國等工業(yè)體系完備的國家，它們共同占據(jù)了全球超過八成的市場份額。

轉發(fā) 科創(chuàng)要聞 | 豐富形式促服務 精準服務助創(chuàng)新

2025年5月15日是全省第十九個“政務公開日”，圍繞“深化政務公開、助力決戰(zhàn)決勝”的活動主題，沈陽市科技創(chuàng)新服務中心以政務公開為契機，結合沈陽市科技創(chuàng)新政策宣傳與助企服務需求，開展了專題調研走訪活動。此次調研的為鵬城微納技術（沈陽）有限公司，旨在宣傳沈陽市科技創(chuàng)新平臺建設成效、科技條件平臺資源共享及創(chuàng)新券政策落實成果，推動沈陽市科技中介服務聯(lián)盟協(xié)同發(fā)展，進一步優(yōu)化營商環(huán)境，助力企業(yè)創(chuàng)新突破。

薄膜沉積設備

薄膜沉積設備分類薄膜沉積是指在硅片等襯底上沉積待處理的薄膜材料，所沉積薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬，沉積膜可為無定形、多晶的或者單晶。

展會邀請|鵬城半導體誠邀您參加第七屆全球半導體產(chǎn)業(yè)（重慶）博覽會

第七屆全球半導體產(chǎn)業(yè)（重慶）博覽會將于2025年5月8日-10日在重慶國際博覽中心舉辦，此次博覽會以“新時代·創(chuàng)造芯未來”為主題，展示面積達40000㎡，參展企業(yè)800家，吸引35000名專業(yè)觀眾到場參觀交流。