產(chǎn)品分類
PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。
- 產(chǎn)品描述
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PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。
設(shè)備用途和功能特點(diǎn)
1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。
2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)、水壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)。
3、配置尾氣處理裝置。
設(shè)備安全性設(shè)計(jì)
1、電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)
2、設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能
3、溫度檢測與報(bào)警保護(hù)
4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量檢測與報(bào)警保護(hù)5、工藝氣路含防交叉污染裝置
設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
類型
參數(shù)
樣片尺寸
≤φ8英寸（或多片2英寸）
樣片加熱臺加熱溫度
室溫～ 600℃±0.1℃
真空室極限真空
≤3×10-5Pa
工作背景真空
≤4×10-4Pa
設(shè)備總體漏放率
停泵12小時后，真空度≤10Pa
樣品、電極間距
5mm ～ 50mm在線可調(diào)
工作控制壓強(qiáng)
10Pa ～ 1500Pa
氣體控制回路
根據(jù)工藝要求配置
單頻電源的頻率
13.56MHz
雙頻電源的頻率
13.56MHz/400KHz
工作條件
類型
參數(shù)
供電
三相五線制 AC 380V
工作環(huán)境溫度
10℃～ 40℃
氣體閥門供氣壓力
0.5MPa ～ 0.7MPa
質(zhì)量流量控制器輸入壓力
0.05MPa ～ 0.2MPa
冷卻水循環(huán)量
0.6m3/h 水溫18℃～25℃
設(shè)備總功率
7kW
設(shè)備占地面積
2.0m ～ 2.0m
單室與多室PECVD設(shè)備
獲取報(bào)價(jià)
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