產(chǎn)品分類(lèi)
LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備
LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（科研型LPCVD）是在低壓高溫的條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
- 產(chǎn)品描述
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LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（科研型LPCVD）是在低壓高溫的條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
1、小型化，方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用，大幅降低實(shí)驗(yàn)成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。
基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類(lèi)型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。
2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)
由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測(cè)和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。3、系統(tǒng)提供自動(dòng)控制無(wú)揚(yáng)塵裝置
LPCVD設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（生產(chǎn)型 LPCVD）類(lèi)型
參數(shù)
成膜類(lèi)型
Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最高溫度
1200℃
恒溫區(qū)長(zhǎng)度
根據(jù)用戶(hù)需要配置
恒溫區(qū)控溫精度
≤±0.5℃
工作壓強(qiáng)范圍
13～1330Pa
膜層不均勻性
≤±5％
基片每次裝載數(shù)量
標(biāo)準(zhǔn)基片：1～3片；不規(guī)則尺寸散片:若干
壓力控制
閉環(huán)充氣式控制
裝片方式
手動(dòng)進(jìn)出樣品
設(shè)備功能
該設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相關(guān)鍍膜工藝。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：
設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)，由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測(cè)和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。
整個(gè)工藝過(guò)程由計(jì)算機(jī)對(duì)全部工藝流程進(jìn)行管理，實(shí)現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門(mén)動(dòng)作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)和自動(dòng)控制。也可以手動(dòng)控制。
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
LPCVD軟件控制界面類(lèi)型
參數(shù)
成膜類(lèi)型
Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最高溫度
1200℃
恒溫區(qū)長(zhǎng)度
根據(jù)用戶(hù)需要配置
恒溫區(qū)控溫精度
≤±0.5℃
工作壓強(qiáng)范圍
13～1330Pa
膜層不均勻性
≤±5％
基片每次裝載數(shù)量
100片
設(shè)備總功率
16kW
冷卻水用量
2m3/h
壓力控制
閉環(huán)充氣式控制
裝片方式
懸臂舟自動(dòng)送樣
LPCVD手動(dòng)運(yùn)行界面
LPCVD實(shí)時(shí)運(yùn)行監(jiān)控界面
LPCVD自動(dòng)運(yùn)行界面
LPCVD工藝編制界面
獲取報(bào)價(jià)
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