CVD 化學(xué)氣相沉積設(shè)備
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LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（科研型LPCVD）是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
真空高溫CVD 爐采用高溫化學(xué)氣相沉積的方法，在工件表面沉積各種薄膜，在半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用非常廣泛，包括沉積大面積的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料，例如：碳化鉭涂層、碳化硅涂層材料。
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