等離子刻蝕設(shè)備
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ICP 源裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于調(diào)節(jié),可通過(guò)在基片臺(tái)上施加偏壓,實(shí)現(xiàn)對(duì)電子密度和離子能量的控制,即:射頻線圈產(chǎn)生等離子體,基片偏壓控制轟擊基片離子的能流和束流以及入射的方位角等。ICP 為無(wú)電極放電,沒(méi)有電極污染。
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