功能性薄膜真空沉積裝置
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分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE）該設備可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。 分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
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PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
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