薄膜制備設備
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研發(fā)設計制造了熱絲CVD金剛石設備，分為實驗型設備和生產(chǎn)型設備兩類。 設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)?？捎糜诹W級別、熱學級別、光學級別、聲學級別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。 可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
LPCVD低壓化學氣相沉積設備（科研型LPCVD）是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。
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